Poudre de disiliciure de tungstène

Description de la poudre de disiliciure de tungstène

Le siliciure de tungstène (WSi2) est un composé inorganique, un siliciure de tungstène. C'est un matériau céramique électriquement conducteur.

La poudre de siliciure de tungstène est généralement immédiatement disponible dans la plupart des volumes. Des formes ultra haute pureté, haute pureté, submicroniques et nanopoudres peuvent être envisagées.

Le siliciure de tungstène est utilisé en microélectronique comme matériau de contact, avec une résistivité de 60 à 80 μΩ cm ; il se forme à 1000 degrés. Il est souvent utilisé comme shunt sur des lignes en polysilicium pour augmenter leur conductivité et augmenter la vitesse du signal. Les couches de siliciure de tungstène peuvent être préparées par dépôt chimique en phase vapeur, par exemple en utilisant du monosilane ou du dichlorosilane avec de l'hexafluorure de tungstène comme gaz source. Le film déposé n'est pas stœchiométrique et nécessite un recuit pour se convertir en une forme stœchiométrique plus conductrice. Le siliciure de tungstène remplace les films de tungstène antérieurs. Le siliciure de tungstène est également utilisé comme couche barrière entre le silicium et d'autres métaux, par exemple le tungstène.

Le siliciure de tungstène est également utile pour une utilisation dans les systèmes microélectromécaniques, où il est principalement appliqué sous forme de couches minces pour la fabrication de circuits à l'échelle microscopique. A ces fins, des films de siliciure de tungstène peuvent être gravés au plasma en utilisant par exemple du trifluorure d'azote gazeux.

WSi2 fonctionne bien dans les applications en tant que revêtements résistants à l'oxydation. En particulier, à l'instar du disiliciure de molybdène, MoSi2, l'émissivité élevée du disiliciure de tungstène rend ce matériau attractif pour le refroidissement radiatif à haute température, avec des implications dans les boucliers thermiques.

Applications de poudre de disiliciure de tungstène et industries connexes

● Matériau de contact en microélectronique

● Shunt sur les lignes de polysilicium pour augmenter leur conductivité et augmenter la vitesse du signal

● Dépôt chimique en phase vapeur

● Remplacement des anciens films de tungstène

● Couche barrière entre le silicium et d'autres métaux (par exemple le tungstène)

● Systèmes microélectromécaniques

● Revêtements résistants à l'oxydation

● Films gravés au plasma

● Recherche & Laboratoire

● Sciences des matériaux

● Dépôt de couches minces

● Revêtement

Identificateurs chimiques

Propriétés du disiliciure de tungstène (théoriques)

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