Phosphure d'indium

Description du phosphure d'indium

Le phosphure d'indium (InP) est un semi-conducteur binaire composé d'indium et de phosphore. Il a une structure cristalline cubique à faces centrées ("zincblende"), identique à celle de GaAs et de la plupart des semi-conducteurs III-V.

L'InP peut être préparé à partir de la réaction du phosphore blanc et de l'iodure d'indium à 400 degrés, également par combinaison directe des éléments purifiés à haute température et pression, ou par décomposition thermique d'un mélange d'un composé de trialkyl indium et de phosphine.

InP est utilisé dans l'électronique haute puissance et haute fréquence en raison de sa vitesse électronique supérieure par rapport aux semi-conducteurs les plus courants, le silicium et l'arséniure de gallium. Il a une bande interdite directe, ce qui le rend utile pour les dispositifs optoélectroniques comme les diodes laser. L'InP est également utilisé comme substrat pour les dispositifs optoélectroniques à base d'arséniure d'indium gallium épitaxial.

Applications du phosphure d'indium et industries connexes

● Composants optoélectroniques

● Électronique à grande vitesse

● Photovoltaïque

● Céramique

● Énergie solaire

● Recherche & Laboratoire

Identificateurs chimiques

Propriétés du phosphure d'indium (théoriques)

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