PRODUITS

Disque et carré en molybdène

Disque et carré en molybdène

Formule linéaire : Mo, Ti Zr Mo, Mo-La

Caractéristiques

Formule linéaire :

Mo, Ti Zr Mo, Mo-La

Matériel:

Grade 361 Mo Supérieur ou égal à 99,95 pour cent

Alliage de molybdène de grade 364 TZM

Alliage de lanthane et de molybdène La2O3 : 0.3~0.7 %

Standard:

ASTM B386

Surface:

Nettoyé chimiquement, Meulage, Laminé

Tolérance de planéité :

<>

Rugosité:

Ra 0.8

Taille:

Disque : 5-100 mm de diamètre x 0,2-12 mm d'épaisseur

Carré : 25-100mm2 x 0,5-12,0 mm d'épaisseur

Description du disque et du carré en molybdène

Le molybdène et ses alliages offrent des combinaisons uniques de conductivité thermique et électrique, de dilatation thermique, de résistance à haute-température et de résistance au fluage, de pression de vapeur, de stabilité environnementale et de résistance à l'abrasion et à l'usure qui les rendent idéaux pour de nombreuses applications variées.

Le disque et le carré en molybdène ont un faible coefficient de dilatation thermique similaire à celui du silicium, mais de meilleures propriétés d'usinage. Pour cette raison, il est généralement utilisé pour la dissipation thermique en tant que composant électronique de semi-conducteur haute puissance et haute fiabilité, matériaux de contact dans les diodes de redressement contrôlées au silicium, transistors et thyristors (GTO), matériel de montage pour semi-conducteur de puissance, bases de dissipateur thermique dans IC, Circuits LSI et hybrides.

SSC offre à la fois une surface de polissage et une surface de rodage. Nous fournissons également des disques et des carrés non revêtus (revêtement : Ru, Rh, Ni, Ag, Au, etc.) non revêtus.

Applications et industries connexes pour le disque et le carré en molybdène

● Composant électronique à semi-conducteur haute puissance et -haute fiabilité pour la dissipation thermique

● Matériaux de contact dans les diodes, transistors et thyristors (GTO) à redresseurs commandés au silicium-

● Bases de dissipateur thermique dans les circuits IC'S, LSI'S et hybrides

● Recherche & Laboratoire


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